　　第0章　半導體與積體電路之發展史 0-1

0-1　半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2

0-2　電晶體 (Transistor) 0-2

0-3　積體電路(Integrated Circuit) 0-4

0-4　半導體製程(Semiconductor Processes) 0-14

　　第1章　半導體物理與材料(一) 1-1

1-1 原子模型與週期表(Atomic Model andPeriodic Table) 1-2

1-2　晶體結構(Crystal Structure) 1-4

1-3　物質種類(Types of Material) 1-7

1-4 本質矽，質量作用定律 (Intrinsic Silicon,Mass-action Law) 1-9

1-5 摻雜質，負型和正型　(Dopant, n-type and ty.

習題 1-11

　　第2章　半導體物理與材料(二) 2-1

2-1　能帶(Energy Band) 2-2

2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and SheetResistance 2-5

2-3　載子傳輸(Carrier Transport) 2-9

習題 2-11

　　第3章　積體電路(I):半導體元件 3-1

3-1　二極體 (Diode) 3-2

3-2　雙載子電晶體 (Bipolar Transistor) 3-5

3-3　金氧半場效電晶體 3-9

3-4 互補金氧半場效電晶體(CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 3-12

3-5　電阻 (Resistor) 3-13

3-6 電容 (Capacitor) 3-15

3-7 電感 (Inductor) 3-16

習題 3-17

　　第4章　積體電路(II)：製程、電路與佈局 4-1

4-1 雙載子製程技術(Bipolar FabricationTechnology) 4-2

4-2 MOS製程技術 (MOS FabricationTechnology) 4-2

4-3 電路與積體電路 (Circuit and IntegratedCircuit) 4-6

4-4 設計原則 (Design Rules) 4-9

4-5 佈局原則 (Layout) 4-11

習題 4-14

　　第5章　矽晶圓之製作(一) 5-1

5-1　原料配製(Starting Materials) 5-2

5-2　晶體生長時摻雜質之分佈(DopantsDistribution in Crystal Growth) 5-5

5-3　晶體缺陷（Crystal Defects） 5-6

習題 5-10

　　第6章　矽晶圓之製作(二) 6-1

6-1　晶體方向（Crystal Orientation） 6-2

6-2　矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth) 6-4

6-3　晶片方向，切割，和拋光(Orientation，Sawing，and Polishing) 6-6

6-4 十二吋晶圓效益分析 6-8

習題 6-10

　　第7章　矽磊晶的成長(一) 7-1

7-1　磊晶膜（Epitaxial Layout） 7-2

7-2　磊晶原理（Epitaxy Theory） 7-5

7-3　磊晶膜之生長程序Growth of Epitaxial Layer 7-11

習題 7-13

　　第8章　矽磊晶的成長(二) 8-1

8-1　磊晶系統（Epitaxy System） 8-2

8-2 磊晶膜之評估Evaluation of Epitaxial Layers） 8-5

習題 8-8

　　第9章　氧化製程(一) 9-1

9-1　二氧化矽與氧化（Silicon Dioxide and Oxidation） 9-2

9-2　熱氧化爐（Thermal Oxidation Furnance） 9-3

9-3　氧化程序（The Oxidation Process） 5-4

9-4 氧化膜之評估（Oxide Evaluation） 9-7

9-5 氧化膜品質改進方法（Improvement of Oxide Quality） 9-9

習題 9-10

　　第10章　氧化製程(二) 10-1

10-1　氧化膜厚度之決定（Oxide Thickness Determination） 10-2

10-2　氧化反應（Oxidation Reaction） 10-5

10-3　薄氧化層（Thin Oxide） 10-7

10-4 熱氧化時摻雜原子之重行分佈（Redistribution of Dopant Atoms DuringThermal Oxidation） 10-8

習題 10-9

　　第11章　摻雜質之擴散植入(一) 11-1

11-1　擴散概念 (The Idea of Diffusion) 11-2

11-2　擴散過程 (The Diffusion Process) 11-3

11-3　擴散之分佈曲線 (Distribution of Diffusion) 11-6

習題 11-19

　　第12章　摻雜質之離子植入(二) 12-1

12-1　離子植入 (Ion Implantation) 12-2

12-2　褪火 (annealing) 12-5

12-3　離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用(Ion Implantation in CMOS ICFabrication) 12-8

12-3-1 調整電晶體起始臨界電壓 (TransistorThreshold Voltage Adjustment) 12-8

12-3-2 形成N及P型井區(N and P Wells Formation) 12

12-3-3 電晶體的隔離 (Isolation) 12-10

12-3-4 形成電晶體的源極與汲極(Source and Drain Formation) 12-11

12-3-5 形成低摻雜濃度的汲極(Lightly-Doped Drain Formation) 12-12

12-3-6 摻雜複晶矽 (Poly-silicon Doping) 12-12

12-4 離子佈植製程實務(Problems in Ion Implantation) 12-13

12-4-1 晶圓冷卻 (Wafer Cooling) 12-13

12-4-2 光阻問題(Resist Problems) 12-13

12-4-3 電荷中和 (Charge Neutralization) 12-14

12-3-4 微塵與污染 (Dust and Contamination) 12-14

習題 12-16

　　第13章　微影蝕刻術(一) 13-1

13-1　微影蝕刻技術(Lithography) 13-2

13-2　光罩之製作(Fabrication of Mask) 13-2

13-3　光微影術(photolithography) 13-5

13-4 微影術之光源(Photolithographic sources) 13-11

13-4-1 X光微影(X-ray Lithography) 13-12

13-4-2 電子束微影(Electron Beam Lithography) 13-15

習題 13-18

　　第14章　微影蝕刻術(二) 14-1

14-1　濕、乾蝕刻(Wet and Dry Etching) 14-2

14-2　濕蝕刻(Wet Etching) 14-2

14-3　乾蝕刻(Dry Etching) 14-3

14-3-1 電漿反應器中基板被覆區之生成機制(mechanism of sheath formation onsubstrate in plasma reactor)

14-3-2 底切與非均向性蝕刻(undercut and anisotropic etching) 14-5

14-4 乾蝕刻反應器 (Dry Etching Reactors) 14-6

14-4-1 電容耦合式電漿反應器 (CapacitanceCoupled Plasma Reactor) 14-7

14-4-2電感耦合式電漿反應器 (InductanceCoupled Plasma Reactor-ICP) 14-8

習題 14-10

　　第15章　化學氣相沉積 15-1

15-1　化學氣相沈積概念 (Introduction of CVD) 15-2

15-2　化學氣相沈積流程(CVD Procedures) 15-5

15-3　低壓化學氣相沉積(LPCVD-Low Pressure CVD) 15-10

15-4 電漿化學氣相沉積(PCVD-Plasma CVD) 15-10

15-5 光照射化學氣相沉積 (Photo CVD) 15-11

15-6 液相沉積法 (Liquid Phase Deposition) 15-11

習題 15-12 ty.

　　第16章　金屬接觸與蒸著 16-1

16-1 金屬化之要求 (MetallizationRequirements) 16-2

16-2　真空蒸著(Vacuum Deposition) 16-8

16-3 蒸著技術(Deposition Techniques) 16-3

16-4　真空蒸著程序 (Vacuum DepositionProcedure) 16-12

16-5 合金/退火(Alloy/Anneal) 16-14

16-6 銅製程技術(Copper Processes) 16-15

習題 16-18

　　第17章　製程潔淨控制與安全(一) 17-1

17-1 潔淨程序與藥品　(Cleaning Procedures and Chemical

17-2　水 (Water) 17-4

17-3 空氣/無塵室 (Air/Clean Room) 17-5

17-4 人員 (Personnel) 17-8

17-5 化學藥品 (Chemicals) 17-9

17-6　氣體 (Gases) 17-11

習題 17-12

　　第18章　製程潔淨控制與安全(二) 18-1

18-1　高壓氣瓶 (High Pressure Cyclinder) 18-2

18-1-1 高壓氣瓶之使用 18-3

18-2　壓力調節器 (Regulator) 18-4

18-3 吹淨 (Blow Up) 18-5

18-4 洩漏偵測 (Leak Check) 18-5

18-5 設備上應注意事項 (Equipment Check) 18-5

18-6 廢氣之排放 (Exhaust) 18-6

18-6-1 氣體排放 18-6

18-6-2 排放氣體的除害 18-7

18-7　緊急時應注意事項 (Emergency) 18-10

18-7-1 洩漏氣體時的緊急處置 18-10

18-7-2 發生火警時的緊急處置 18-10

18-7-3 中毒時的緊急處置 18-11

18-7-4 預防 18-11

習題 18-12

　　第19章　半導體元件之縮小化 19-1

19-1 金氧半電晶體之縮小化 (Scaling of MOSTransistor) 19-2

19-2　短通道效應 (short-channel effects) 19-4

19-2-1　速度飽和效應(velocity saturation) 19-4

19-2-2 通道長度調變效應 (channel-lengthmodulation) 19-6

19-2-3 次臨界電流效應 (subthreshold current) 19-7

19-2-4 擊穿效應 (punchthrough) 19-8

19-2-5 CMOS閂啟 (latch-up) 19-9

習題 19-11

　　第20章　積體電路封裝 20-1

20-1　積體電路封裝 (IC Package) 20-2

20-1-1 積體電路中半導體元件失效的主因(IC Failure Analysis) 20-2

20-1-2 封裝的目的 (Target of Packaging) 20-2

20-1-3 積體電路封裝材料的要求 (MaterialReguirement) 20-3

20-2　封裝分類 (Classification) 20-3

20-3　封裝流程 (Packaging Flow Chart) 20-5

20-3-1 背面研磨 (Back-Side Grinding) 20-5

20-3-2 晶粒揀選 (Chip Sorting) 20-5

20-3-3 晶圓切割 ( Sawing) 20-6

20-3-4 銲晶 (Die Attaching) 20-8

20-3-5 銲線 (Wire Bonding) 20-8

20-3-6 封膠 (Molding) 20-12

20-3-7 電鍍 (Solder Plating) 20-12

20-3-8 彎腳成形 (Forming) 20-13

20-3-9 最後測試 (Final Testing) 20-14

20-3-10 打包 (Packing) 20-14

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矽元件與積體電路製程(修訂版)

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